CCD视觉检测工业生产显像的CCD及CMOS技术性之比照

CCD视觉检测工业生产显像的CCD及CMOS技术性之比照

电子器件显像技术性的发展趋势起源于上世纪六十年代，诺奖获得者Boyle和Smith开发设计出个CCD。这种元器件是运用夹杂矽的原有工作能力将光量子转化成电子器件，并且用获得的画素级别正电荷来测量光抗压强度而运行。在构架上，这一设计方案的较大 优点是简易，全部画素地区能用来检测光量子和储存正电荷，出示较大 信号等级，援助高动态范围。

同样的画素地区用以将正电荷传输到比较有限的輸出端，在其中正电荷被变换为工作电压。随时间流逝，这构架已优化到包含InterlineTransferCCD设计方案，在其中包括画素级别的一个电子快门，不用照相机设计方案中的机械设备快门速度。今日，CCD是选用定制的半导体材料工艺，高宽比提升于显像运用，并必须外界电源电路将对比输出电压变换为多位信号以用以事后解决。一般而言，CCD的典型性特性是高效率的电子快门工作能力、宽动态范畴和优异的影像匀称性。

比较之下，CMOS影像感测器设计方案开始是运用为流行半导体材料元器件的生产制造而开发设计的加工工艺，如用以逻辑性芯片、微控制器和內存摸组的加工工艺。这一点产生极大的优点，如多位解决作用可立即列入芯片中，以提高影像感测器作用。CMOS影像感测器不象CCD将正电荷传输到比较有限的輸出端，只是把电晶体置放在每一画素内(或每组画素)，来开展正电荷、工作电压中间的变换。这么一来，工作电压(而不是正电荷)可经过全部元器件传送，促使影像载入越来越更快、更灵便。除此之外，解决可立即融合至芯片，假如需要的话，影像感测器可輸出彻底解决的JPEG影像，乃至是H.264视频流。